一、【实验室简介】
功率半导体器件实验室以各类功率半导体开关、整流器件为主要研究方向，致力于为功率电子系统提供核心器件技术。实验室源于单建安教授在香港科技大学建立的功率半导体器件课题组，以进行前沿技术探索为主要任务，并积极推进相关技术的产业化。功率半导体器件实验室以科技创新为手段，旨在为中国乃至全世界的业界企业提供技术支持，以实现电子系统小型化和节能环保的社会责任为最终目标。
二、【研发团队简介】
团队带头人：
单建安教授，香港科技大学电子与计算机工程学系教授，。作为建系元老之一， 先后担任过本科生教学主管（1998-2004）、纳米制造中心主任（2003-2012）、半导体产品分析和设计改进中心主任（2001-至今）。单教授因其在功率半导体设计和产业化上的卓越成就，于2012年被授予美国电子电气工程师学会会士(IEEE Fellow)，是大中华区唯一从事硅基功率半导体行业的IEEE Fellow。
实验室团队成员：
冯浩（博士后）、袁嵩（博士后）、张丽（科研秘书）
三、【研究领域】
超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ-MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD）、碳化硅二极管和MOSFET。
